Реактор: film; SMD; 01005; 1,7нГн; 200мА; R: 0,7Ом; LQP; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQP02TN1N7B02L
0,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 40000
Крок додавання: 40000
Код товару: LQP02TN1N7B02L
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±0,1нГн
Індуктивність: 1,7нГн
Корпус - дюйм: 01005
Корпус - мм: 0402
Монтаж: SMD
Опір: 0,7Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,2А
Серія виробника: LQP
Тип реактора: film
Частота резонансна: 9,5ГГц
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

48,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,9мм
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 1,62кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

2,13 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1,4Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,4Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

0,75 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 34кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 34кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Обмежувач перенапруження; Тип 1+2; 20кА; -40÷80°C; IP20; 1500ВDC
Обмежувач перенапруження; Тип 1+2; 20кА; -40÷80°C; IP20; 1500ВDC

19301,85 грн

Вид обмежувача перенапруження:
Тип 1+2
Використання:
фотоелектрика
Клас герметичності:
IP20
Номінальна напруга:
1,5кВ DC
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP8; THT; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP8; THT; OUT: 1

915,49 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вхідна напруга:
9...18В DC
Зовнішні розміри:
21,9x9,2x11,1мм
Кількість виходів:
1
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 10нГн; 600мА; ±5%; 2,29x1,73x1,52мм
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 10нГн; 600мА; ±5%; 2,29x1,73x1,52мм

14,00 грн

Високосортність:
60
Висота:
1,52мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Реактор: дротяний; 150нГн; 10,7x7,5x9,5мм; ферит; H: 9,5мм
Реактор: дротяний; 150нГн; 10,7x7,5x9,5мм; ферит; H: 9,5мм

26,36 грн

Висота:
9,5мм
Індуктивність:
0,15мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Робоча температура:
-40...125°C
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; Iробочий: 320мА; R: 1Ом; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; Iробочий: 320мА; R: 1Ом; ±20%

13,87 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
68мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
1Ом
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 4,2А; ±20%; 7,4x6,8x3мм
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 4,2А; ±20%; 7,4x6,8x3мм

34,91 грн

Висота:
2,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Реактор: дротяний; 300нГн
Реактор: дротяний; 300нГн

17,49 грн

Індуктивність:
0,3мкГн
Тип реактора:
дротяний
Реактор: дротяний; SMD; 0806; 2,2мкГн; Iробочий: 1,6А; ±20%; 168мОм
Реактор: дротяний; SMD; 0806; 2,2мкГн; Iробочий: 1,6А; ±20%; 168мОм

7,35 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Корпус - дюйм:
0806
Корпус - мм:
2016
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; R: 7,5мОм; ±20%; 10,3x8,1x6,65мм
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; R: 7,5мОм; ±20%; 10,3x8,1x6,65мм

127,98 грн

Висота:
6,65мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Матеріал стержня:
ферит