Реактор: film; SMD; 01005; 16нГн; 140мА; R: 3,5Ом; ±5%; LQP; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQP02TN16NJ02D
0,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 20000
Крок додавання: 20000
Код товару: LQP02TN16NJ02D
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±5%
Індуктивність: 16нГн
Корпус - дюйм: 01005
Корпус - мм: 0402
Монтаж: SMD
Опір: 3,5Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,14А
Серія виробника: LQP
Тип реактора: film
Частота резонансна: 2,5ГГц
IC: driver; boost; 50мА; 40В; PWM; Uвх: 3÷5,5В; 1,25МГц; Uживл: 3÷5,5В
IC: driver; boost; 50мА; 40В; PWM; Uвх: 3÷5,5В; 1,25МГц; Uживл: 3÷5,5В

33,13 грн

Використання:
автомобільна галузь
Вихідна напруга:
40В
Вихідний струм:
50мА
Властивості інтегральних мікросхем:
PWM
Недоступний
Резистор: thick film; 4,02кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,02кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
4,02кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,37Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 2,37Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; THT; PDIP20; PIC16; туба
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; THT; PDIP20; PIC16; туба

113,41 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x3; COG; PoR; PPS; watchdog; XLP; zero cross detect
Інтерфейс:
EUSART; I2C; LIN; PPS; RS232; RS485; SPI
Недоступний
Резистор: thin film; 1,43кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 1,43кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 150нс; SOD123F; Ufmax: 1,3В; Ifsm: 30А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 150нс; SOD123F; Ufmax: 1,3В; Ifsm: 30А

1,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

5,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4,9пФ
Реактор: дротяний; THT; 23,7мГн; 600мА; R: 780мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 23,7мГн; 600мА; R: 780мОм; 250ВAC; -25÷120°C

65,26 грн

Вид дроселя:
з компенсацією
Індуктивність:
23,7мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,78Ом
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 11,9x11x9,7мм; 18,5А; 8,9мОм
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 11,9x11x9,7мм; 18,5А; 8,9мОм

96,30 грн

Висота:
9,7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 27мкГн; ±20%; 320мА; 3x1,2x3мм; 940мОм
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 27мкГн; ±20%; 320мА; 3x1,2x3мм; 940мОм

11,85 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
27мкГн
Корпус - дюйм:
1212
Корпус - мм:
3030
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 4,1x4,1x2,1мм; 18,8А; H: 2,1мм
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 4,1x4,1x2,1мм; 18,8А; H: 2,1мм

39,91 грн

Висота:
2,1мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; ±20%; 16,6x15,5x10мм; 13А; H: 10мм
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; ±20%; 16,6x15,5x10мм; 13А; H: 10мм

305,37 грн

Висота:
10мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; THT; 8мГн; 1,5А; R: 310мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 8мГн; 1,5А; R: 310мОм; 250ВAC; -25÷120°C

79,19 грн

Вид дроселя:
з компенсацією
Індуктивність:
8мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,31Ом
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 7,1x6,6x3,8мм; 15А; H: 3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 7,1x6,6x3,8мм; 15А; H: 3,8мм

26,55 грн

Висота:
3,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн