1. Головна
  2. Пасивні елементи
  3. Індуктивні компоненти
  4. Дроселі

Реактор: film; SMD; 01005; 3,3нГн; 290мА; R: 0,9Ом; LQP; 180мм

Реактор: film; SMD; 01005; 3,3нГн; 290мА; R: 0,9Ом; LQP; 180мм
Немає в наявності
Код товару: LQP02TQ3N3C02L
0,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 40000
Крок додавання: 40000
Код товару: LQP02TQ3N3C02L
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±0,2нГн
Індуктивність: 3,3нГн
Корпус - дюйм: 01005
Корпус - мм: 0402
Монтаж: SMD
Опір: 0,9Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,29А
Серія виробника: LQP
Тип реактора: film
Частота резонансна: 10ГГц
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 6А; DIP6
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 6А; DIP6

2258,62 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
6А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Зовнішні розміри:
25,4x25,4x16,9мм
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0805

0,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; TSOP44 II

564,50 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

1,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,91Ом; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,91Ом; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,05 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
1,91Ом
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C

116,57 грн

Індуктивність:
10,3мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,12Ом
Робоча напруга:
250В AC
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 13А; ±20%; Isat: 17А
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 13А; ±20%; Isat: 17А

60,82 грн

Висота:
2,9мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм

15,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
8,2мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; R: 3,5мОм; ±20%; 9,8x8,5x4мм; 32А
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; R: 3,5мОм; ±20%; 9,8x8,5x4мм; 32А

65,89 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм

15,84 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,36мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; 25А; 96мОм; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; 25А; 96мОм; -40÷125°C

11,40 грн

Індуктивність:
2,2мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
96мОм
Робоча температура:
-40...125°C
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм

24,08 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн