Реактор: film; SMD; 01005; 4,1нГн; 360мА; R: 0,24Ом; LQP; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQP02HV4N1B02L
2,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 30000
Крок додавання: 30000
Код товару: LQP02HV4N1B02L
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±0,1нГн
Індуктивність: 4,1нГн
Корпус - дюйм: 01005
Корпус - мм: 0402
Монтаж: SMD
Опір: 0,24Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,36А
Серія виробника: LQP
Тип реактора: film
Частота резонансна: 7,1ГГц
Недоступний
Тиристор: стандартний; 1кВ; Ifмакс: 6А; 3,8А; Igt: 15мА; TO263; SMD
Тиристор: стандартний; 1кВ; Ifмакс: 6А; 3,8А; Igt: 15мА; TO263; SMD

72,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа",з обох сторін; вилка; 60В
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа",з обох сторін; вилка; 60В

794,48 грн

Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402

8,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
5пФ
IC: цифровий; NAND; Ch: 1; IN: 8; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; 4,5÷5,5ВDC
IC: цифровий; NAND; Ch: 1; IN: 8; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; 4,5÷5,5ВDC

6,34 грн

Вид затвору:
NAND
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
TSSOP14
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 16,5÷42ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 1А; SIP3
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 16,5÷42ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 1А; SIP3

684,87 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
16,5...42В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thin film; 576кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 576кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

73,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 26,1Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 26,1Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%

6,97 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: common mode; THT; 15мГн; 1,9А; R: 279мОм; ±30%; 15x29x27мм
Реактор: common mode; THT; 15мГн; 1,9А; R: 279мОм; ±30%; 15x29x27мм

145,72 грн

Допуск:
±30%
Індуктивність:
15мГн
Монтаж:
THT
Опір:
279мОм
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%

9,50 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит

11,28 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
20
Діаметр:
8,7мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн

138,75 грн

Висота:
32,995мм
Індуктивність:
9,1мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
2,1мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C

14,83 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
56мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,35Ом
Реактор: феритовий; 10мкГн; Iробочий: 10,1А; R: 20,6мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 10мкГн; Iробочий: 10,1А; R: 20,6мОм; ±20%

220,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
13,2x12,5x5мм
Індуктивність:
10мкГн