Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 30А

Немає в наявності
Код товару: MWI30-06A7T
2704,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MWI30-06A7T
Виробник: IXYS
Використання: двигуни
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: E2-Pack
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 140Вт
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 30А
Струм колектора в імпульсі: 60А
Технологія: NPT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-фазний міст IGBT; термістор NTC
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "мама"; кутовий; 5м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "мама"; кутовий; 5м; вилка; 30ВDC

3124,40 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67; IP68
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А

4117,72 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

20561,98 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.2kV
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.2kV

1633,78 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
6А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 705В; інвертор
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 705В; інвертор

28044,19 грн

Використання:
інвертор
Зворотна напруга макс.:
705В
Струм колектора в імпульсі:
400А
Тип напівпровідникового модуля:
IGBT
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

17445,19 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H; Urmax: 600В; Ic: 17А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H; Urmax: 600В; Ic: 17А

1163,10 грн

Використання:
двигуни
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
ECO-PAC 2
Модуль: IGBT; діод/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ; SMT
Модуль: IGBT; діод/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ; SMT

537,20 грн

Електричний монтаж:
SMT
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SMPD-B
Напруга затвор - емітер:
±20В