Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H,термістор NTC

Немає в наявності
Код товару: APTGLQ40H120T1G
4115,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 14
Крок додавання: 14
Код товару: APTGLQ40H120T1G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Використання: двигуни
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: SP1
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 40А
Струм колектора в імпульсі: 160А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: місток H; термістор NTC
Недоступний
Роз’єм: затискна планка на плату; PIN: 3; кутове 90°; на корпус
Роз’єм: затискна планка на плату; PIN: 3; кутове 90°; на корпус

74,12 грн

Висота:
19,2мм
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
IC: супервізор; монітор обнулення живлення (PoR); open drain
IC: супервізор; монітор обнулення живлення (PoR); open drain

20,91 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу RESET:
open drain
Вид об'єднаної схеми:
монітор обнулення живлення (PoR)
Вид упаковки:
туба
Резистор: thin film
Резистор: thin film

11,85 грн

Тип резистора:
thin film
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 8,4В; 10мкА
Діод: зенера; 500мВт; 8,4В; 10мкА

1517,22 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
8,4В
Монтаж:
THT
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",з обох сторін
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",з обох сторін

6220,29 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

5118,64 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

4191,20 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 60А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 60А

6015,67 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А

8568,02 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3

3458,88 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 600А; інвертор; 4,05кВт
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 600А; інвертор; 4,05кВт

15386,96 грн

Використання:
інвертор
Потужність розсіювання:
4,05кВт
Струм колектора:
600А
Струм колектора в імпульсі:
1,06кА
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

6857,58 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2N