Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 750А; 1,948кВт

Немає в наявності
Код товару: APTGX600DU170T6G
17782,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2
Код товару: APTGX600DU170T6G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Потужність розсіювання: 1,948кВт
Струм колектора: 750А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: термістор NTC
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷40А; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; EA19
Амперметр; на панель; I AC: 0÷40А; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; EA19

1979,67 грн

Вимір:
струму AC
Властивості шкали:
робоче положення 15°
Довжина шкали:
97мм
Клас герметичності:
IP52
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 10000мкФ; 250ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 10000мкФ; 250ВDC; ±20%

3034,44 грн

Висота:
150мм
Діаметр:
90мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мФ
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 80А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 80А; Полюси: 3

5196,56 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Резистор: metal strip; 100мОм; струмовий шунт,вимірювальний; SMD
Резистор: metal strip; 100мОм; струмовий шунт,вимірювальний; SMD

20,40 грн

Вид резистора:
вимірювальний; струмовий шунт
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

5118,64 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

4191,20 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 60А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 60А

6015,67 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

1458,31 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
L2.2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А

2992,00 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
C5 45mm
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; пригвинчуваний
Модуль: IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; пригвинчуваний

8091,63 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер:
±20В
Модуль: IGBT; Urmax: 1,7кВ; Ic: 1,2кА; AG-IHVB130-3; 6,5кВт
Модуль: IGBT; Urmax: 1,7кВ; Ic: 1,2кА; AG-IHVB130-3; 6,5кВт

58422,18 грн

Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
AG-IHVB130-3
Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
6,5кВт