Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 18А; Idm: 35А; PDFN88

Немає в наявності
Код товару: TSG65N110CE RVG
921,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSG65N110CE RVG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: HEMT
Вид упаковки: cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 4нКл
Корпус: PDFN88
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -10...7В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 35А
Технологія: GaN
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 94; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 94; THT; 3A; 100V

612,01 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 56,2кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 56,2кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
56,2кОм
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 56В; SMD; DO213AB; 1мкА
Діод: зенера; 1,25Вт; 56В; SMD; DO213AB; 1мкА

208,44 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
56В
Корпус:
DO213AB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 75нс; SOD123F; Ufmax: 1,7В; Ifsm: 25А
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 75нс; SOD123F; Ufmax: 1,7В; Ifsm: 25А

1,90 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 53,2В; 7,8А; односпрямована; DO15,DO204AC; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 53,2В; 7,8А; односпрямована; DO15,DO204AC; Ch: 1

0,00 грн

Зворотна напруга макс.:
47,8В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO15; DO204AC
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 3A; 250V

93,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
20,7мм
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: M23; CA; прямий; IP67; NBR
Корпус для з’єднувачів: M23; CA; прямий; IP67; NBR

761,53 грн

Клас герметичності:
IP67
Матеріал прокладки:
NBR
Просторова орієнтація:
прямий
Серія виробника:
CA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD