1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 14А; 135Вт; D3PAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 14А; 135Вт; D3PAK
Немає в наявності
Код товару: APT1204R7SFLLG
728,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT1204R7SFLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 31нКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 4,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 135Вт
Струм стока: 3,5А
Струм стоку в імпульсі: 14А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 180мм

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 2,4В; SMD; DO213AA; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 2,4В; SMD; DO213AA; 2мкА

3552,97 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
2,4В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

6,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,9пФ
Щітка; ESD; Дл.щетини: 21мм; 30мм; Довж.заг: 92мм; чорний; 105°C
Щітка; ESD; Дл.щетини: 21мм; 30мм; Довж.заг: 92мм; чорний; 105°C

494,17 грн

Відповідність стандарту:
ANSI ESD S20:20.; EN 61340-5-1
Властивості елементів антистатики:
жорстка щетина; запобігає накопиченню електричних зарядів
Довжина робочої частини:
65мм
Довжина щетини:
21мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: FPGA; SMD; FBGA484; I/O: 248; лоток
IC: FPGA; SMD; FBGA484; I/O: 248; лоток

15479,62 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
248
Корпус:
FBGA484
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
0,7нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD