Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 32А; 960Вт; TO264

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 32А; 960Вт; TO264
Brand: IXYS
SKU: IXFK32N100P
Price: 1074.51 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXFK32N100P

1074,51 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IXFK32N100P

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

225нКл

Корпус:

TO264

Монтаж:

THT

Напруга сток-джерело:

1кВ

Опір в стані провідності:

0,32Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

960Вт

Струм стока:

32А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Конденсатор: електролітичний; THT; 1,8мФ; 25ВDC; Ø16x20мм; ±20%

68,42 грн

Виводи:
радіальні

Висота:
20мм

Діаметр:
16мм

Допуск:
±20%

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
76нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
90нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В