Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,5кВ; 2,5А; 110Вт; ISO247™; 900нс

Немає в наявності
Код товару: IXTJ4N150
777,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTJ4N150
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 44,5нКл
Корпус: ISO247™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,5кВ
Опір в стані провідності: 6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 110Вт
Струм стока: 2,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 900нс
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 83,3÷92,1В; 12,4А; двоспрямована; ±5%; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 83,3÷92,1В; 12,4А; двоспрямована; ±5%; SMCJ

9,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
75В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210; 330мм

4,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 71,3В; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 71,3В; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка

3920,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1пФ
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; кутовий
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; кутовий

10921,83 грн

Просторова орієнтація:
кутовий
Тип корпусу для з’єднувачів:
D-Sub
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 14; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 14; THT; 1.5A; 60V

605,68 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
20,6мм
Довжина відводів:
3,2мм
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® 440 P; 41G1мм2; неекранований; 300В,500В; Cu
Провід; ÖLFLEX® 440 P; 41G1мм2; неекранований; 300В,500В; Cu

1839,21 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я; що самогаситься
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
180нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3