Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 9А; Idm: 55А; 500Вт; D3PAK

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 9А; Idm: 55А; 500Вт; D3PAK
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: APT14M100S
Price: 502.36 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: APT14M100S

502,36 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

APT14M100S

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

0,12мкКл

Корпус:

D3PAK

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

1кВ

Опір в стані провідності:

880мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

500Вт

Струм стока:

9А

Струм стоку в імпульсі:

55А

Технологія:

POWER MOS 8®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

40,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TSOP-6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
153нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-35В