Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,67А; Idm: 12А; 3Вт; SOT223

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,67А; Idm: 12А; 3Вт; SOT223
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: ZVN4310GTA
Price: 128.61 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: ZVN4310GTA

128,61 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

ZVN4310GTA

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SOT223

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

0,75Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3Вт

Струм стока:

1,67А

Струм стоку в імпульсі:

12А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Бажані

Connector: wire-board; socket; male; data; Dubox®; 3A; PIN: 7; 2.54mm

52,58 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Електричний монтаж:
THT

Кількість пін:
7

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
94нКл

Корпус:
TO263-7

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
5,9нКл

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
59нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
17,3нКл

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
U-DFN2020-6 Type E

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
43нКл

Корпус:
D2PAK; TO263