Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 12А; Idm: 15А; 35Вт; WDFN8

Немає в наявності
Код товару: FDMC3612-L701
70,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMC3612-L701
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: WDFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 212мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Pliers: for rings; external; 19÷60mm; Pliers len: 175mm; straight
Pliers: for rings; external; 19÷60mm; Pliers len: 175mm; straight

1014,32 грн

Type of pliers:
for rings
Вид кільця:
зовнішній
Діаметр:
19...60мм
Довжина щипців:
175мм
Недоступний
Резистор: metal oxide; 3,3кОм; THT; 7Вт; ±5%; 39x13x9мм; радіальні
Резистор: metal oxide; 3,3кОм; THT; 7Вт; ±5%; 39x13x9мм; радіальні

19,83 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
3,3кОм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 92А; Idm: 658А; 125Вт; Power56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 92А; Idm: 658А; 125Вт; Power56

387,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
Power56
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2200мкФ; 63ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2200мкФ; 63ВDC; ±20%

132,41 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
35,5мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; SMT; 3A; 150V

293,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
ролик
Довжина відводів:
2,1мм
Недоступний
Перфоратор; Ø: 14мм; Дов.інструмента: 350мм
Перфоратор; Ø: 14мм; Дов.інструмента: 350мм

1135,33 грн

Діаметр стержня:
14мм
Довжина інструмента:
350мм
Тип інструмента:
перфоратор
Недоступний
L: 70,1мм; Довж.заг: 70,1мм
L: 70,1мм; Довж.заг: 70,1мм

516,98 грн

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK