Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 22А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

Немає в наявності
Код товару: DI034N10PT-AQ
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI034N10PT-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: QFN3X3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 23,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 22А
Струм стоку в імпульсі: 130А
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT323F
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT323F

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323F
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
50В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V

126,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,6мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,65кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 1,65кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Конденсатор: керамічний; 68нФ; 50В; X7R; ±10%; 1206
Конденсатор: керамічний; 68нФ; 50В; X7R; ±10%; 1206

8,87 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
68нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Знак безпеки; вимога; ПВХ; W: 200мм; H: 200мм
Знак безпеки; вимога; ПВХ; W: 200мм; H: 200мм

0,00 грн

Вид знаку:
вимога
Висота:
200мм
Відповідність стандарту:
PN EN ISO 7010:2012
Матеріал:
ПВХ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

178,66 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,5мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD