1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 240А; Idm: 960А; 167Вт; TOLL

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 240А; Idm: 960А; 167Вт; TOLL
Немає в наявності
Код товару: PSMN028N10NS2_R2_00201
216,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN028N10NS2_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: TOLL
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 2,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 167Вт
Струм стока: 240А
Струм стоку в імпульсі: 960А
Тип транзистора: N-MOSFET
Антена: комунікаційна; GSM,ISM,LTE; -6,7дБі; лінійна; на панель
Антена: комунікаційна; GSM,ISM,LTE; -6,7дБі; лінійна; на панель

701,98 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
GSM; ISM; LTE
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
51мм
Резистор: дротяний; 100Ом; з радіатором; 50Вт; ±1%; 50ppm/°C
Резистор: дротяний; 100Ом; з радіатором; 50Вт; ±1%; 50ppm/°C

115,94 грн

Виводи:
до лютування
Вид резистора:
з радіатором
Допуск:
±1%
Кількість монтажних отворів:
2
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 128кбEEPROM; I2C; 16Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц
IC: пам'ять EEPROM; 128кбEEPROM; I2C; 16Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц

43,08 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Етикетка; жовтий; THM; 74мм; -40÷150°C
Етикетка; жовтий; THM; 74мм; -40÷150°C

13625,84 грн

Висота:
74мм
Колір:
жовтий
Матеріал:
поліестер
Робоча температура:
-40...150°C
Недоступний
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 16А; 250Вт
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 16А; 250Вт

1236,70 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024c
Недоступний
Motor Suppression Module; 5.5kW; IP67; -20÷60°C; Leads: leads x3
Motor Suppression Module; 5.5kW; IP67; -20÷60°C; Leads: leads x3

581,60 грн

Виводи:
проводи x3
Довжина відводів:
60мм
Електричне під'єднування:
M5 fork-type cable lug
Захист:
варистор
Діод: TVS; 600Вт; 200В; 2,2А; односпрямована; ±5%; DO214AA; P6SMB
Діод: TVS; 600Вт; 200В; 2,2А; односпрямована; ±5%; DO214AA; P6SMB

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
171В
Корпус:
DO214AA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23