Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 31А; Idm: 159А; 24Вт; LFPAK56

Немає в наявності
Код товару: NVMYS021N10MCLTWG
86,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMYS021N10MCLTWG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: LFPAK56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 23мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 24Вт
Струм стока: 31А
Струм стоку в імпульсі: 159А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,5пФ
Недоступний
Кабель; HARTING PushPull (V4); USB 2.0; USB A вилка,USB B вилка
Кабель; HARTING PushPull (V4); USB 2.0; USB A вилка,USB B вилка

3042,33 грн

Будова екрану:
екранований
Довжина кабелю:
1м
Зовнішній діаметр проводу:
4,9мм
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 30А; TO247-2; Ufmax: 1,8В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 30А; TO247-2; Ufmax: 1,8В

161,56 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
650В
Корпус:
TO247-2
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805

1,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 36; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 36; THT; straight

18,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMT8; SMD
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SMT8; SMD

224,91 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Модуль автоматики: switch PoE Ethernet; некерований; 9÷60ВDC
Модуль автоматики: switch PoE Ethernet; некерований; 9÷60ВDC

34618,64 грн

Вид модуля:
некерований
Висота:
142мм
Властивості роз’ємів:
2x SM (15 км)
Глибина:
107,5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD