Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 37,1А; Idm: 150А; 3,5Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: DMTH10H015LK3-13
29,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMTH10H015LK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 33,3нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,5Вт
Струм стока: 37,1А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Тип транзистора: N-MOSFET
Вузька ножівка; Ø: 60мм; Гвинт: 5/8"
Вузька ножівка; Ø: 60мм; Гвинт: 5/8"

159,66 грн

Використання інструментів:
алюміній; дерево; нержавіюча сталь; пластик; сталь; чавун
Глибина зрізу:
40мм
Діаметр:
60мм
Монтажний гвинт:
5/8"
Недоступний
Свердло; для металу; 5/64"; циліндровий; C
Свердло; для металу; 5/64"; циліндровий; C

122,91 грн

Вид рукоятки:
циліндровий
Використання інструментів:
алюміній; дерево; нержавіюча сталь; пластмаса
Відповідність стандарту:
DIN 338
Властивості свердел:
кут конуса 130°
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V

198,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 80; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 80; THT; 3A; 100V

912,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: FPGA; SMD; TQFP100; I/O: 81; лоток; 2,5В
IC: FPGA; SMD; TQFP100; I/O: 81; лоток; 2,5В

8445,27 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
81
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 18МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 18МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

168,53 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Вхідний поляризаційний струм:
15нА
Недоступний
Резистор: thick film; 63,4кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 63,4кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK