Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,4Вт; PowerDI5060-8

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,4Вт; PowerDI5060-8
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMNH10H021SPSW-13
Price: 49.42 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DMNH10H021SPSW-13

49,42 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

DMNH10H021SPSW-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Заряд затвора:

71нКл

Корпус:

PowerDI5060-8

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

28мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

4,4Вт

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,49нКл

Корпус:
SOT23; TO236AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
VSONP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
VSONP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
4,3нКл

Корпус:
WSON6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET

216,04 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD