Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт
Brand: VISHAY
SKU: SIHFR120TR-GE3
Price: 41.81 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIHFR120TR-GE3

41,81 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SIHFR120TR-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

16нКл

Корпус:

DPAK; TO252

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

0,27Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

42Вт

Струм стока:

4,9А

Струм стоку в імпульсі:

31А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; польовий; 40В; 83А; Idm: 400А

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
34нКл

Корпус:
PG-TDSON-8

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
94нКл

Корпус:
TO263-7

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
5,9нКл

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
59нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
17,3нКл

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
34нКл

Корпус:
D3PAK; TO268