Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 480А; 60Вт; QFN5x6

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 480А; 60Вт; QFN5x6
Brand: DIOTEC SEMICONDUCTOR
SKU: DI100N10PQ-AQ
Price: 162.82 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DI100N10PQ-AQ

162,82 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DI100N10PQ-AQ

Виробник:

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

75нКл

Корпус:

QFN5x6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

6,6мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

60Вт

Струм стока:

50А

Струм стоку в імпульсі:

480А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
TSOP6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
48нКл