Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 59А; Idm: 236А; 93Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 59А; Idm: 236А; 93Вт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMTH10H017LPD-13
Price: 127.97 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DMTH10H017LPD-13

127,97 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DMTH10H017LPD-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Заряд затвора:

28,6нКл

Корпус:

PowerDI5060-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

17,4мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

93Вт

Струм стока:

59А

Струм стоку в імпульсі:

236А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 32А; 26Вт

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
8,3нКл

Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 10А; 150Вт; TO252

47,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK

165,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
98нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,82нКл

Корпус:
SC75

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; D2PAK; ESD

113,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,3А; 70Вт; DPAK; ESD

115,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А

78,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
41нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8