1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 110А; 517Вт; TO263; 64нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 110А; 517Вт; TO263; 64нс
Немає в наявності
Код товару: IXTA110N12T2
173,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA110N12T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 517Вт
Струм стока: 110А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 64нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0805

2,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 01005

1,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,11пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,11пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,11пФ
Недоступний
Діод: TVS; ESD; 3кВт; 24,4÷26,9В; 84,4А; двоспрямована; ±5%; SMLJ
Діод: TVS; ESD; 3кВт; 24,4÷26,9В; 84,4А; двоспрямована; ±5%; SMLJ

27,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
22В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Діод: перемикальний; THT; 50В; 200мА; Ifsm: 4А; DO35; Ufmax: 1В; 4нс
Діод: перемикальний; THT; 50В; 200мА; Ifsm: 4А; DO35; Ufmax: 1В; 4нс

41,18 грн

Зворотна напруга макс.:
50В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1В
Резистор: дротяний; 2,2Ом; THT; 2Вт; ±5%; -40÷200°C; 300ppm/°C
Резистор: дротяний; 2,2Ом; THT; 2Вт; ±5%; -40÷200°C; 300ppm/°C

4,69 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
4,6мм
Довжина:
11,5мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S