1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,8А; Idm: 86А; 2,3Вт; uDFN6

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,8А; Idm: 86А; 2,3Вт; uDFN6
Немає в наявності
Код товару: NVLJS053N12MCLTAG
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVLJS053N12MCLTAG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7,8нКл
Корпус: uDFN6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 53мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,3Вт
Струм стока: 4,8А
Струм стоку в імпульсі: 86А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 10м; вилка; 250ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 10м; вилка; 250ВDC

1728,33 грн

Використання:
харчова промисловість
Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
еластомір TPE-S
Кількість пін:
4
Недоступний
Антена: комунікаційна; Bluetooth,U-NII,WiFi,ZigBee; лінійна; SMD
Антена: комунікаційна; Bluetooth,U-NII,WiFi,ZigBee; лінійна; SMD

41,18 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
Bluetooth; U-NII; WiFi; ZigBee
Коефіцієнт підсилення антени:
2,7дБі@2,4ГГц...2,5ГГц; 3,7дБі@5,725ГГц...5,875ГГц; 4,3дБі@5,15ГГц...5,725ГГц
Монтаж:
SMD
Недоступний
Жилет; Розмір: L; сірий; утеплені
Жилет; Розмір: L; сірий; утеплені

1362,14 грн

Відповідність стандарту:
CE
Колір:
сірий
Модель:
утеплені
Розмір:
L
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A

252,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
3,1мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; MSSP (SPI / I2C); 1,8÷5,5ВDC
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; MSSP (SPI / I2C); 1,8÷5,5ВDC

34,85 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
MSSP (SPI / I2C)
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 250V

557,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
15,6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4,8А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD