Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 135А; Idm: 430А; 306Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: WMM071N15HG2
156,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM071N15HG2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 7,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 306Вт
Струм стока: 135А
Струм стоку в імпульсі: 430А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 100кОм; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові

33,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Fleece sweatshirt; Size: L; red-gray; without a hood; 290g/m2
Fleece sweatshirt; Size: L; red-gray; without a hood; 290g/m2

997,85 грн

Вага:
290г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
red-gray
Матеріал:
поліестер
IC: пам'ять FLASH; 16МбFLASH; SPI / RapidS; 85МГц; SO8-W; туба
IC: пам'ять FLASH; 16МбFLASH; SPI / RapidS; 85МГц; SO8-W; туба

149,52 грн

Iнформація:
Продукт не призначений і не має бути використаний будь-яким чином, при якому несправність цього продукту може обгрунтовано спричинити серйозні травми або смерть. Забороняється використовувати будь-які продукти Adesto комерційного або промислового типу для застосування у двигуні внутрішнього згорання, а також будь-які продукти Adesto комерційного, промислового або автомобільного типу для аерокосмічного або військового застосування.
Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI / RapidS
Резистор: thin film; 470кОм; 300мВт; 2,2x2,2мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 470кОм; 300мВт; 2,2x2,2мм; -55÷155°C

3,41 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Опір:
470кОм
Потужність:
0,3Вт
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; MAS-CON; PIN: 18; 2.54mm
Connector: wire-board; socket; male; data; MAS-CON; PIN: 18; 2.54mm

63,99 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
18
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 18В; SMD; 50нА
Діод: зенера; 500мВт; 18В; SMD; 50нА

1895,59 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
18В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 1,5м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -30÷85°C
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 1,5м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -30÷85°C

1953,88 грн

Довжина кабелю:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 50А; 74Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 50А; 74Вт; VSONP8; 5x6мм

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 96Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 96Вт; VSONP8; 5x6мм

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,25А; 0,15Вт; SOT723; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,25А; 0,15Вт; SOT723; ESD

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT723
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,96А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,96А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
X1-DFN1006-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 8,3А; 150Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 8,3А; 150Вт; TO252

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 66А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 66А; 33Вт; DFN5x6

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,36Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,36Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD