Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 61А; Idm: 302А; 108,7Вт; PQFN8

Немає в наявності
Код товару: NTMFS015N15MC
110,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: NTMFS015N15MC
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PQFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 108,7Вт
Струм стока: 61А
Струм стоку в імпульсі: 302А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 7,5нГн; 600мА; R: 0,14Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 7,5нГн; 600мА; R: 0,14Ом; ±5%; LQW

4,02 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
7,5нГн
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; Поз: 30; 5ВDC; 10мА; DP11
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; Поз: 30; 5ВDC; 10мА; DP11

126,08 грн

Глибина зрізу:
1,5мм
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
20мм
Кількість всіх позицій:
30
Резистор: вуглецевий; 12Ом; THT; 500мВт; ±5%; осьові; 9мм
Резистор: вуглецевий; 12Ом; THT; 500мВт; ±5%; осьові; 9мм

0,59 грн

Виводи:
осьові
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 158кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 158кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; SOT23

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 41Вт; PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 41Вт; PQFN8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 3,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 3,1А; 2,5Вт; SO8

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,9А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,9А; 0,35Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 72,5А; Idm: 480А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 72,5А; Idm: 480А; 63,8Вт

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
78,5нКл
Корпус:
QFN5x6