Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,33А; 0,4Вт; X2-DFN0806-3

Немає в наявності
Код товару: DMN2990UFA-7B
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2990UFA-7B
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: X2-DFN0806-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 2,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: 0,33А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Недоступний
Роз’єм: HDC; EPIC® KIT H-BSS 004 FS AG; промислова
Роз’єм: HDC; EPIC® KIT H-BSS 004 FS AG; промислова

441,59 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
EPIC® KIT H-BSS 004 FS AG
Тип роз’єму:
HDC
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; THT; straight

30,16 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,068мкФ; 630ВDC; 19x5,8x16мм; THT
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,068мкФ; 630ВDC; 19x5,8x16мм; THT

9,38 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
68нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,6пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 30; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 30; THT; straight

36,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 1; 1,8÷5,5ВDC; SOT23-5
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 1; 1,8÷5,5ВDC; SOT23-5

17,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,6мВ
Діапазон напруги живлення:
1,8...5,5В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK