Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 10,7А; Idm: 45А; 2Вт; SO8

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 10,7А; Idm: 45А; 2Вт; SO8
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN2027USS-13
Price: 13.87 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DMN2027USS-13

13,87 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

DMN2027USS-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Заряд затвора:

11,6нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±12В

Напруга сток-джерело:

20В

Опір в стані провідності:

19мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2Вт

Струм стока:

10,7А

Струм стоку в імпульсі:

45А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
TSOP6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
48нКл