Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 390мА; Idm: 1,5А; 200мВт

Немає в наявності
Код товару: DMN2004DWK-7
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2004DWK-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,95нКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,2Вт
Струм стока: 0,39А
Струм стоку в імпульсі: 1,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Двигун: серводвигун; з абсолютним енкодером; 2кВт; 400ВAC
Двигун: серводвигун; з абсолютним енкодером; 2кВт; 400ВAC

0,00 грн

Вид двигуна:
з абсолютним енкодером
Властивості двигунів:
прямий вал зі шпонкою
Напруга живлення:
400В AC
Потужність:
2кВт
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,4пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 56,7÷62,7В; 36,4А; двоспрямована; ±5%; DO214AB
Діод: TVS; 3кВт; 56,7÷62,7В; 36,4А; двоспрямована; ±5%; DO214AB

65,26 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
51В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

2,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NC; 0÷8мм; 10÷36ВDC; M18; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NC; 0÷8мм; 10÷36ВDC; M18; IP67

2154,72 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...8мм
Загальна довжина:
84мм
Кількість пін:
4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK