Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 940мА; Idm: 8А; 1,2Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN2300UFB-7B
4,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN2300UFB-7B
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,89нКл
Корпус: X1-DFN1006-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 0,94А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

4,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
MHCI06030-R24M-1R195EQ
MHCI06030-R24M-1R195EQ

7,03 грн

Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

17,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 9,44В; двоспрямована; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 3кВт; 9,44В; двоспрямована; SMC; Ch: 1; -65÷150°C

128,61 грн

Зворотна напруга макс.:
8,5В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 8; CMOS; SMD; SSOP20; FCT
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 8; CMOS; SMD; SSOP20; FCT

29,14 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; неінвертуючий
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD