Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 170А; 1150Вт; TO264

Немає в наявності
Код товару: IXFK170N20T
761,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK170N20T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 265нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,15кВт
Струм стока: 170А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; Y5V; -20÷80%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; Y5V; -20÷80%; SMD; 1210

7,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
Y5V
Допуск:
-20...80%
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 3÷5,5ВDC; Uвих: 1,8ВDC; 3А; HTSSOP14
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 3÷5,5ВDC; Uвих: 1,8ВDC; 3А; HTSSOP14

148,25 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,8В DC
Вихідний струм:
3А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,4пФ
Недоступний
Долото; 300мм; лак
Долото; 300мм; лак

274,33 грн

Довжина:
0,3м
Матеріал покриття:
лак
Тип інструмента:
долото
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1818,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3