Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 82А; Idm: 408А; 290Вт; TOLL
Brand: WAYON
SKU: WMLL93N20JN
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 82А; Idm: 408А; 290Вт; TOLL

Немає в наявності

Код товару: WMLL93N20JN

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2000

Крок додавання: 2000

Код товару:

WMLL93N20JN

Виробник:

WAYON

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

98нКл

Корпус:

TOLL

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

200В

Опір в стані провідності:

8,6мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

290Вт

Струм стока:

82А

Струм стоку в імпульсі:

408А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Час готовності:

165нс

Бажані

Змінний стовбур; ізольований; шестигранний Hex-Plus; HEX 4мм

453,62 грн

Вид викрутки:
ізольований

Вид рукоятки:
шестикутний

Вид упаковки:
картоннa

Відповідність стандарту:
IEC 60900; VDE

Недоступний

Бажані

Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс

264,83 грн

Зворотна напруга макс.:
1кВ

Монтаж:
THT

Пряма напруга макс.:
1,3В

Струм витоку:
1мкА

Бажані

Резистор: thin film; 43,2кОм; 2x1,25x0,55мм

8,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Опір:
43,2кОм

Розміри корпусу:
2x1,25x0,55мм

Тип резистора:
thin film

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
34нКл

Корпус:
D3PAK; TO268

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
43нКл

Корпус:
FB (TO252AA)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
77нКл

Корпус:
LF (MO235B similar)

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SuperSOT-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-25В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1нКл

Корпус:
SOT23; TO236AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,7нКл

Корпус:
SOT23