Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 87А; Idm: 435А; 312Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: WMJ98N20JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 330
Крок додавання: 330
Код товару: WMJ98N20JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 121нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 6,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 312Вт
Струм стока: 87А
Струм стоку в імпульсі: 435А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 160нс
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50ВDC; R; SMD
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50ВDC; R; SMD

0,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
R
Ємність:
10нФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V

43,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Насадка: шестигранний-bit; Hex-Plus; HEX 6мм; 3/8"; Zyklop; хром
Насадка: шестигранний-bit; Hex-Plus; HEX 6мм; 3/8"; Zyklop; хром

689,94 грн

Вид ключа:
Hex-Plus
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина насадки:
107мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; TQFP100; 1МБFLASH; ARM; лоток
IC: мікроконтролер ARM; TQFP100; 1МБFLASH; ARM; лоток

458,69 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
CAN; EBI; EMI; I2C; I2S; IrDA; SD; SPI; UART; USART; USB
Недоступний
IC: driver; місток H; low-side; DIP14; 1,2А; Ch: 4; MOSFET; 800мВт
IC: driver; місток H; low-side; DIP14; 1,2А; Ch: 4; MOSFET; 800мВт

236,95 грн

Вид виходу:
що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
low-side
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
1,2А
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 3,6В; SMD; SOD123; одиночний діод; MMSZ4xxTxG
Діод: зенера; 0,5Вт; 3,6В; SMD; SOD123; одиночний діод; MMSZ4xxTxG

7,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,6В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А

1210,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
174нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 41А; Idm: 328А; 108,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 41А; Idm: 328А; 108,7Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30,8нКл
Корпус:
TO220-3