Транзистор: N-MOSFET; польовий; 236Вт; TO247-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 236Вт; TO247-3
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT070W120G3AG
Price: 376.93 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SCT070W120G3AG

376,93 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 30

Крок додавання: 30

Код товару:

SCT070W120G3AG

Виробник:

STMicroelectronics

Заряд затвора:

41нКл

Корпус:

TO247-3

Монтаж:

THT

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

236Вт

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,97 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
76нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
90нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD

250,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220FP

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
45нКл

Корпус:
TO3PF

Монтаж:
THT