Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1318А; 215Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN1R1-25YLC,115
138,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN1R1-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 0,95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 215Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 1318А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206

5,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP100
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP100

585,35 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMAC x8; PoR; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,8пФ
Недоступний
IC: інтерфейс; цифровий ізолятор; 25Мбіт/с; 2,8÷5,5ВDC; Profibus
IC: інтерфейс; цифровий ізолятор; 25Мбіт/с; 2,8÷5,5ВDC; Profibus

203,99 грн

Вид каналу:
односпрямована
Вид об'єднаної схеми:
цифровий ізолятор
Інтерфейс:
PROFIBUS
Кількість каналів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 66; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 66; THT; straight

40,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Модуль: IGBT; термістор NTC; інвертор; 1,5кВт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; термістор NTC; інвертор; 1,5кВт; Field Stop,Trench

28015,68 грн

Використання:
інвертор
Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
1,5кВт
Технологія:
Field Stop; Trench
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

101,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK