1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 33А; 50Вт; PG-TDSON-8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 33А; 50Вт; PG-TDSON-8
Немає в наявності
Код товару: BSC015NE2LS5IATMA1
30,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: BSC015NE2LS5IATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 1,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 33А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 187А; Idm: 2255А; 316Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 187А; Idm: 2255А; 316Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
90,4нКл
Корпус:
H-PSOF8L
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; THT; straight

13,62 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,1мкФ; 630ВDC; 19x6,3x19мм; THT
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,1мкФ; 630ВDC; 19x6,3x19мм; THT

10,96 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 53,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 53,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 5Вт,7,5Вт; Iвих: 500мА; SIP; THT; ККД: 95%
Перетворювач: DC/DC; 5Вт,7,5Вт; Iвих: 500мА; SIP; THT; ККД: 95%

Вихідна напруга:
9В
Вихідний струм:
0,5А
Відповідність стандарту:
EN
Зовнішні розміри:
11,6x7,5x10,2мм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 70А; Idm: 175А; 262Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 70А; Idm: 175А; 262Вт

1829,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
104нКл
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23