Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44А; 104Вт; ISO247™; 120нс

Немає в наявності
Код товару: IXFJ80N25X3
717,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFJ80N25X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 83нКл
Корпус: ISO247™
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 18мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: 44А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 120нс
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 362А; Idm: 900А; 90Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 362А; Idm: 900А; 90Вт; DFN5

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
149нКл
Корпус:
DFN5
Недоступний
Діод: TVS; 36,7В; двоспрямована; P600; 5кВт; 5KP; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 36,7В; двоспрямована; P600; 5кВт; 5KP; Ch: 1; -55÷175°C

352,26 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
33В
Кількість каналів:
1
Корпус:
P600
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 30В; SMD; 100нА
Діод: зенера; 500мВт; 30В; SMD; 100нА

79,83 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
30В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1818,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3