Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; Idm: 435А; 312Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: WMJ130N25JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 330
Крок додавання: 330
Код товару: WMJ130N25JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 121нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 8,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 312Вт
Струм стока: 96А
Струм стоку в імпульсі: 435А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 195нс
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP

8,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 18А; 56,8Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 18А; 56,8Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
121нКл
Корпус:
HU3PAK
Недоступний
150Ом; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; SMD; 50ppm/°C
150Ом; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; SMD; 50ppm/°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус:
MiniMELF
Корпус - дюйм:
0204
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні

32,69 грн

Виводи:
радіальні
Тип конденсатора:
поліпропиленовий
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley

15297,79 грн

Engineering PN:
2090-CPBM7E7-16AF10
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
10м
Модель:
заправлений
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD