1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
Немає в наявності
Код товару: BSC016N03LSGATMA1
78,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSC016N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 100А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: дротяний; 5,6Ом; THT; 5Вт; ±5%; Ø8x20мм; осьові; L: 20мм
Резистор: дротяний; 5,6Ом; THT; 5Вт; ±5%; Ø8x20мм; осьові; L: 20мм

23,00 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
8мм
Довжина:
20мм
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 48МГц; 2÷2,7ВDC; SMD; QFN44; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 48МГц; 2÷2,7ВDC; SMD; QFN44; PIC18

225,52 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PMP; PoR; RTCC; watchdog; XLP
Інтерфейс:
I2C; LIN; MSSP x2; RS232; RS485; SPI; USART x2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1800мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1800мА

2266,65 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
1,8А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл