Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; Idm: 790А; 109Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; Idm: 790А; 109Вт
Brand: NEXPERIA
SKU: PSMN1R5-30YL,115
Price: 76.65 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: PSMN1R5-30YL,115

76,65 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

PSMN1R5-30YL,115

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

77,9нКл

Корпус:

LFPAK56; PowerSO8; SOT669

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

1,8мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

109Вт

Струм стока:

100А

Струм стоку в імпульсі:

790А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Кабель: до датчиків; PIN: 4; 0,5м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 2; PUR

1825,10 грн

Довжина кабелю:
0,5м

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR

Кількість пін:
4

Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

680,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
94нКл

Корпус:
TO263-7

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
5,9нКл

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь

46,69 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
6,8нКл

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
59нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8

82,35 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
25нКл

Корпус:
HSOP8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
17,3нКл

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD