Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 150мА; Idm: 0,5А; 393мВт

Немає в наявності
Код товару: DMN31D5UFZ-7B
5,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN31D5UFZ-7B
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,35нКл
Корпус: X2-DFN0606-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 393мВт
Струм стока: 0,15А
Струм стоку в імпульсі: 0,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,8пФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; D3PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; D3PAK

726,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK
Недоступний
Мікроперемикач TACT; SPST; Поз: 2; 50мA/12ВDC; THT; немає; 1Н; 6x6мм
Мікроперемикач TACT; SPST; Поз: 2; 50мA/12ВDC; THT; немає; 1Н; 6x6мм

2,88 грн

Виводи:
для друку; короткі піни
Вид упаковки:
сумка
Висота кнопки:
6мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,4пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 100кОм; THT; 500мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 100кОм; THT; 500мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм

0,62 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Змінна кришка; 10÷60°C; 459x340x167мм
Змінна кришка; 10÷60°C; 459x340x167мм

34440,62 грн

Зовнішні розміри:
459x340x167мм
Робоча температура:
10...60°C
Тип вимірювальних аксесуарів:
змінна кришка
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6,7А; Idm: 15,4А; 36,8Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6,7А; Idm: 15,4А; 36,8Вт; PG-TDSON-8

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 29А; Idm: 82А; 186Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 29А; Idm: 82А; 186Вт

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
0,7нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD