1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7,3А; Idm: 45А; 1,6Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7,3А; Idm: 45А; 1,6Вт
Немає в наявності
Код товару: DMN3016LDN-7
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN3016LDN-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 25,1нКл
Корпус: V-DFN3030-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 7,3А
Струм стоку в імпульсі: 45А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201

3,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,8пФ
Недоступний
Струмовий шунт; 100А; Клас: 0,5; 60мВ
Струмовий шунт; 100А; Клас: 0,5; 60мВ

2518,38 грн

Клас точності:
0,5
Номінальний струм:
100А
Падіння напруги:
60мВ
Тип вимірювальних аксесуарів:
струмовий шунт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268