Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7,9А; Idm: 40А; 1,3Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7,9А; Idm: 40А; 1,3Вт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMN3025LFDF-13
Price: 7.73 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DMN3025LFDF-13

7,73 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 10000

Крок додавання: 10000

Код товару:

DMN3025LFDF-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Заряд затвора:

13,2нКл

Корпус:

U-DFN2020-6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

30мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,3Вт

Струм стока:

7,9А

Струм стоку в імпульсі:

40А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
153нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-35В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,71 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD