1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 465А; 103Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 465А; 103Вт
Немає в наявності
Код товару: PSMN3R4-30BL,118
103,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN3R4-30BL,118
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 41,5нКл
Корпус: D2PAK; SOT404
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 7,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 103Вт
Струм стока: 80А
Струм стоку в імпульсі: 465А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 7,78В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 7,78В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

370,00 грн

Зворотна напруга макс.:
7В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
Недоступний
Marker: cable-heat shrinkable; 50mm; white; Shrinking ratio: 2: 1
Marker: cable-heat shrinkable; 50mm; white; Shrinking ratio: 2: 1

57,65 грн

Властивості складських аксесуарів:
теплова передача; у формі драбинки
Діаметр після усадження:
2,4мм
Довжина:
50мм
Коефіцієнт усадження:
2:1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,3пФ
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷25А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷25А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

2856,06 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Довжина шкали:
146мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

399,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23