Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 16,9А; Idm: 400А; 2,62Вт

Немає в наявності
Код товару: DMTH43M8LFGQ-13
36,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMTH43M8LFGQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 40,1нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,62Вт
Струм стока: 16,9А
Струм стоку в імпульсі: 400А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: інтерфейс; модуль I/O; 1,65÷5,5ВDC; I2C,SMBus; SMD; SOIC16
IC: інтерфейс; модуль I/O; 1,65÷5,5ВDC; I2C,SMBus; SMD; SOIC16

0,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
модуль I/O
Інтерфейс:
I2C; SMBus
Корпус:
SOIC16
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1000пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1000пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

6,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Оптотріак; 5кВ; симистор; DIP6; Ch: 1; IS3020; туба
Оптотріак; 5кВ; симистор; DIP6; Ch: 1; IS3020; туба

49,42 грн

Вид виходу:
симистор
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Діод: TVS; 5В; 5А; двоспрямована; DFN2; Ch: 1
Діод: TVS; 5В; 5А; двоспрямована; DFN2; Ch: 1

1,63 грн

Ємність:
0,17пФ
Зворотна напруга макс.:
2,8В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DFN2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,1пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,1пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

29,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,1пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD