Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 160А; Idm: 640А; 83,3Вт; QFN5x6

Немає в наявності
Код товару: DI160N04PQ-AQ
79,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI160N04PQ-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83,3Вт
Струм стока: 160А
Струм стоку в імпульсі: 640А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач безпеки: петлевий; D4NH; NC x2 + NO; IP67; -30÷70°C
Вимикач безпеки: петлевий; D4NH; NC x2 + NO; IP67; -30÷70°C

5713,39 грн

Вид головки:
важіль; голівка обертається на 90°
Властивості перемикачів:
контакти залежної дії
Електричне під'єднування:
G1/2
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 715Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 715Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

28,83 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 250V

11,40 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова

306,01 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
4
Механічний монтаж:
гайка спереду; на панель
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 1.5A

304,11 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 100mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 2525; 150мкГн; 420мА; R: 0,63Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 2525; 150мкГн; 420мА; R: 0,63Ом; ±20%; LQH

50,68 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,15мГн
Корпус - дюйм:
2525
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD