Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 21А; 36Вт; PDFN56U

Немає в наявності
Код товару: TSM033NB04LCR RLG
156,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM033NB04LCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 79нКл
Корпус: PDFN56U
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 21А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 111÷128В; 2,5А; двоспрямована; ±5%; SMA
Діод: TVS; 400Вт; 111÷128В; 2,5А; двоспрямована; ±5%; SMA

22,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 300Вт; Uвх: 16,8÷160ВDC; Uвих: 24ВDC; IRV300
Перетворювач: DC/DC; 300Вт; Uвх: 16,8÷160ВDC; Uвих: 24ВDC; IRV300

22107,71 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
12,5А
Вхідна напруга:
16,8...160В DC
Зовнішні розміри:
184,6x116x39,7мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; I2C,RS232,RS485,SPI,UART
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; I2C,RS232,RS485,SPI,UART

67,78 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; RS232; RS485; SPI; UART
Кількість входів/виходів:
25
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл