Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 21А; Idm: 100А; 2,6Вт

Немає в наявності
Код товару: DMT4004LPS-13
34,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMT4004LPS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 82,2нКл
Корпус: PowerDI5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,6Вт
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

1,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 15В; DO35; 10нА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 15В; DO35; 10нА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка

546,12 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
15В
Корпус:
DO35
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; прямий
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; прямий

7763,57 грн

Просторова орієнтація:
прямий
Тип корпусу для з’єднувачів:
D-Sub
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 88,7кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 88,7кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Мікроперемикач TACT; SPST-NO; Поз: 2; 0,05A/12ВDC; THT; немає; 2,6Н
Мікроперемикач TACT; SPST-NO; Поз: 2; 0,05A/12ВDC; THT; немає; 2,6Н

3,40 грн

Виводи:
для друку; короткі піни
Вид упаковки:
сумка
Висота кнопки:
15мм
Електрична стійкість:
60000 цикли
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; WLCSP72; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; WLCSP72; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; TRNG; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; LPUART; QSPI; SAI; SDMMC; SPI; SWPMI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
57
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD