Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 300А; 480Вт; TO247-3; 53нс

Немає в наявності
Код товару: IXTH300N04T2
375,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTH300N04T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 145нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 300А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 53нс
Недоступний
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ LP6836P70-1
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ LP6836P70-1

416,88 грн

Потужність:
P1dB 23 дБм
Частота:
0-16 ГГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 4В; X6S; ±20%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 4В; X6S; ±20%; SMD; 0603; 330мм

3,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷3,6ВDC; SMD; SO28-W; PIC18; туба
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷3,6ВDC; SMD; SO28-W; PIC18; туба

198,94 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x4; PoR; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART x2; ECAN; LIN; MSSP (SPI / I2C)
Діод: випрямний; THT; 100В; 10А; Ifsm: 400А; R6; Ammo Pack
Діод: випрямний; THT; 100В; 10А; Ifsm: 400А; R6; Ammo Pack

58,92 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
R6
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
180нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3