1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 300А; Idm: 900А; 83Вт; DFN5

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 300А; Idm: 900А; 83Вт; DFN5
Немає в наявності
Код товару: NVMFS5C410NAFT1G
242,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS5C410NAFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 86нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 920мкОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 300А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X7R; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X7R; ±20%; SMD; 1210

16,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,3В; DO35; 3,5мкА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 3,3В; DO35; 3,5мкА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка

3035,99 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,3В
Корпус:
DO35
Недоступний
IC: power switch; high-side; 1,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD; USP8B06
IC: power switch; high-side; 1,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD; USP8B06

42,45 грн

Вид виходу:
P-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вихідний струм:
1,5А
Кількість каналів:
1
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 40÷44,2В; 27А; односпрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 40÷44,2В; 27А; односпрямована; ±5%; DO214AB,SMC

48,78 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 вилка; 11м; тросик; Cu; PUR; 22AWG
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 вилка; 11м; тросик; Cu; PUR; 22AWG

6138,50 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Модуль: IGBT; 62MM; пригвинчуваний; 2,4кВт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; 62MM; пригвинчуваний; 2,4кВт; Field Stop,Trench

4815,64 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
62MM
Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
2,4кВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл